（十五）第三代半导体用热场保温材料
1.技术适用范围
适用于单晶生长炉。
2.技术原理及工艺
通过炭化炉、石墨化炉、真空离心机等多种核心设备制备出高性能黏胶基固毡产品。其应用环境为长期2300°C有氩气冲刷气体氛围的感应加热炉，可分为保温板和保温桶两大类产品，具有同样密度条件下电阻高1倍以上，隔热性能高30%以上和更高的纯度（小于15ppm）等优点，实现碳化硅晶片外延生长。工艺装备布置如图所示。
工艺装备布置图
3.技术功能特性及指标
材料磷硼等杂质含量低，板材1000°C导热系数（氮气下）＜0.6瓦/（米·开），桶材1000°C导热系数（氮气下）＜0.45瓦/（米·开）。
4.应用案例
该技术为研发类技术，暂无应用案例。技术提供单位为烟台奥森制动材料有限公司。
